时间：2025/5/23 15:31:58
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SI7174DP 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道 场效应晶体管（N-Channel MOSFET），采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合用于高效能功率转换、负载开关以及 DC/DC 转换器等应用。其封装形式为 ThinSOT23-6L，有助于节省 PCB 空间并支持高密度设计。
这款 MOSFET 的设计目标是提供高性能与小尺寸的结合，同时确保在各种电源管理场景中的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：115pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：ThinSOT23-6L
SI7174DP 具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用场景中能够减少功耗并提升效率。此外，该器件的快速开关性能有助于降低开关损耗，非常适合高频开关电路。其紧凑的封装形式允许设计师在有限的空间内实现更高性能的解决方案。
Vishay 的 TrenchFET 第三代技术提供了优化的电气特性，包括更小的栅极电荷和更低的输入电容，这些都进一步增强了器件的动态表现。此外，该器件的工作温度范围较宽，可适应恶劣的工作环境，保证了长期运行的可靠性。
SI7174DP 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。具体应用包括但不限于：
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. 笔记本电脑适配器中的同步整流
3. 便携式设备中的电池管理
4. 小型 DC/DC 转换器
5. 固态硬盘（SSD）控制器中的电源管理
6. 高效能电机驱动器中的功率开关
由于其低导通电阻和小型化封装，这款 MOSFET 成为了许多便携式及空间受限应用的理想选择。
SI4402DY, SI4407DY, FDS6670A
