时间：2025/6/18 9:13:53
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SI7145DP-T1-GE3 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换应用。其封装形式为 Hot FET? 3x3 PowerPAK? SC-70，适合紧凑型设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：22A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.2mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=10V）：1.4mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1390pF
总功耗：0.8W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7145DP-T1-GE3 基于先进的 TrenchFET Gen III 工艺制造，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低导通损耗。
2. 出色的开关性能，适合高频应用。
3. 小型化的 3x3 PowerPAK SC-70 封装，节省 PCB 空间。
4. 高电流承载能力，支持高达 22A 的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使得该器件成为高效能 DC/DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他功率管理应用的理想选择。
SI7145DP-T1-GE3 广泛应用于需要高效率和小体积的场合，主要应用领域包括：
1. 电信设备中的负载点 (POL) 转换器。
2. 工业计算机及服务器的电源模块。
3. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
4. 电动工具和电机驱动中的功率级控制。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
由于其卓越的性能和紧凑的设计，这款 MOSFET 在各种功率转换和管理场景中表现出色。
SI7196DP, IRF7846TRPBF, AO6600
