时间：2025/6/29 15:17:48
阅读：4
SI7143DP-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。它的工作电压范围为 20V，适合低电压系统设计。
其封装形式为行业标准的 TSOP6，有助于提高 PCB 布局灵活性，并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：26nC
反向恢复时间：9ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TSOP6
SI7143DP-T1-GE3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低功率损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关性能得益于较小的栅极电荷和反向恢复时间，特别适合高频应用。
3. 宽温度范围使其在极端环境条件下也能稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
5. 封装紧凑，有助于节省电路板空间，同时提供出色的热传导能力。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 笔记本电脑、平板电脑及智能手机充电器。
3. 工业自动化设备中的电机控制和负载切换。
4. 电池管理系统 (BMS)，包括电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池保护。
5. 各类消费电子产品的负载开关和保护电路。
SI7166DP, SI4472DY, IRF7832TRPBF
