时间：2025/5/30 14:19:28
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SI7114DN 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的功率管理。
SI7114DN 的设计目标是通过优化的制造工艺提供较低的导通电阻 (Rds(on)) 和良好的热性能，从而提升整体效率并降低功耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：65mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：155pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SO-8
SI7114DN 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 4.5V 栅极驱动电压下为 65mΩ，能够减少传导损耗。
2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷 (Qg)，有助于实现高频应用。
3. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，确保在恶劣环境下依然保持稳定性能。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 提供优秀的热性能以支持高功率密度设计。
SI7114DN 广泛应用于多种领域：
1. 移动设备中的电源管理。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 开关模式电源 (SMPS) 设计。
4. 电池保护和负载切换。
5. 电机驱动和控制电路。
6. 各种便携式电子产品的功率开关解决方案。
SI7115DN, SI4477DY, BSS138
