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SI6562CDQ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 20:48:08 查看 阅读:10

SI6562CDQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关应用。其封装形式为 LFPAK88 (PowerPAK? 8x8),支持表面贴装,非常适合需要高效能功率转换的场景。
  该 MOSFET 的设计使其能够在各种电源管理电路中表现出色,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:94A
  导通电阻(典型值):0.78mΩ
  栅极电荷(典型值):65nC
  输入电容(典型值):3120pF
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI6562CDQ-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。同时,其极低的栅极电荷使得开关速度更快,从而降低开关损耗。此外,该器件具备强大的热性能和电气性能,能够在高温环境下稳定运行。其 LFPAK88 封装提供了出色的散热能力,并且符合 RoHS 标准,确保环保合规。
  得益于第三代 TrenchFET 技术,该 MOSFET 在小型化封装内实现了高性能表现,适合于对空间和效能都有较高要求的应用场景。

应用

SI6562CDQ-T1-GE3 广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业设备中的 DC-DC 转换器
  2. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统
  3. 高效负载开关
  4. 通信基础设施中的电源模块
  5. 各种电机驱动控制电路
  6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器
  由于其优异的性能和可靠性,该器件特别适合于需要高功率密度和快速动态响应的应用环境。

替代型号

SI6563DDQ-T1-GE3, SI6576DDQ-T1-GE3

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SI6562CDQ-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.7A,6.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 5.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.6W,1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI6562CDQ-T1-GE3TR