时间：2025/6/5 20:48:08
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SI6562CDQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用。其封装形式为 LFPAK88 (PowerPAK? 8x8)，支持表面贴装，非常适合需要高效能功率转换的场景。
该 MOSFET 的设计使其能够在各种电源管理电路中表现出色，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：94A
导通电阻（典型值）：0.78mΩ
栅极电荷（典型值）：65nC
输入电容（典型值）：3120pF
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI6562CDQ-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。同时，其极低的栅极电荷使得开关速度更快，从而降低开关损耗。此外，该器件具备强大的热性能和电气性能，能够在高温环境下稳定运行。其 LFPAK88 封装提供了出色的散热能力，并且符合 RoHS 标准，确保环保合规。
得益于第三代 TrenchFET 技术，该 MOSFET 在小型化封装内实现了高性能表现，适合于对空间和效能都有较高要求的应用场景。
SI6562CDQ-T1-GE3 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统
3. 高效负载开关
4. 通信基础设施中的电源模块
5. 各种电机驱动控制电路
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器
由于其优异的性能和可靠性，该器件特别适合于需要高功率密度和快速动态响应的应用环境。
SI6563DDQ-T1-GE3, SI6576DDQ-T1-GE3
