时间：2025/5/12 15:45:42
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SI6423DQ-T1 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 旗下品牌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。其封装形式为 Hot FET? 8x8 QFN (PowerPAK? 8x8)，能够有效降低热阻并提升散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：3220pF
反向传输电容：115pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：PowerPAK 8x8
SI6423DQ-T1 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 1.3mΩ，可显著减少传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 45A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 37nC，适合高频应用。
4. PowerPAK 8x8 封装设计，具备出色的散热能力和低寄生电感。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
SI6423DQ-T1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、电机驱动和电池管理系统中的功率开关。
4. 服务器、通信设备及消费类电子产品的负载开关。
5. 高效功率转换模块中的关键组件。
6. 需要大电流和低损耗的其他功率管理场景。
SI6425DN, SI6435DY, IRF7729TRPBF
