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SI5403DC-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/9 15:52:13 查看 阅读:8

SI5403DC-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 生产的低相位噪声、高精度晶体振荡器 (XO) 芯片,属于 SI54x 系列。该器件采用 3.2258 MHz 的输出频率,并支持多种配置选项以适应不同应用场景。其出色的稳定性和可靠性使其非常适合对时钟精度要求较高的应用环境。

参数

型号:SI5403DC-T1-GE3
  制造商:Silicon Labs
  功能:晶体振荡器 (XO)
  输出频率:3.2258 MHz
  供电电压:2.5V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSSOP-16
  输出类型:CMOS
  频率稳定性:±25 ppm
  相位抖动:小于 1 ps RMS

特性

SI5403DC-T1-GE3 具备以下特点:
  1. 高精度:频率稳定性可达 ±25 ppm,在各种环境条件下表现出优异的一致性。
  2. 低相位噪声:优化设计确保极低的相位噪声性能,适合需要高信号完整性的系统。
  3. 可编程性:通过 I2C 接口可以灵活调整输出频率和配置参数,满足定制化需求。
  4. 小型封装:TSSOP-16 封装节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  5. 宽温范围:支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适应恶劣工作条件。
  6. 多种输出格式:支持 CMOS 输出,兼容不同的下游电路接口。
  7. 高可靠性:经过严格测试,具有较长的使用寿命和稳定的性能表现。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 网络通信设备:如路由器、交换机和基站等,提供精确的时钟源。
  2. 工业自动化:用于控制系统的实时数据采集与传输。
  3. 消费类电子产品:例如多媒体播放器、智能家居设备中的同步时钟模块。
  4. 测试测量仪器:为示波器、频谱分析仪等提供准确的时间基准。
  5. 医疗设备:在超声波诊断、监护仪等设备中保证时间同步的精确性。
  6. 汽车电子:适用于导航系统、信息娱乐系统等需要稳定时钟的应用场景。

替代型号

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SI5403DC-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1340pF @ 15V
  • 功率 - 最大6.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装1206-8 ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI5403DC-T1-GE3TR