时间：2025/6/4 10:35:03
阅读：19
SI4974DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。
该型号的封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封装，具备出色的散热性能，适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：65nC（典型值）
输入电容：1240pF（典型值）
总功耗：26W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI4974DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 25A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，特别适合高频应用。
4. 紧凑的 PowerPAK? SO-8 封装，节省 PCB 空间。
5. 出色的热性能，允许在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
这款 MOSFET 在各种功率转换和控制应用中表现出优异的性能。
SI4974DY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的电流控制。
5. 通信设备和工业设备中的功率管理模块。
6. 计算机外设和消费类电子产品的电源管理部分。
其高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
SI4975DY, SI4976DY
