时间：2025/6/9 9:03:08
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SI4966DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术。该器件专为低导通电阻和高效率应用设计，适合要求低损耗和高性能的电路。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
栅极电荷：21nC
输入电容：1750pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
SI4966DY-T1-E3 采用了先进的 TrenchFET 技术，使其具备极低的导通电阻，从而减少传导损耗并提升整体效率。
该器件支持高达 25A 的连续漏极电流，能够满足大功率应用的需求。
由于采用了 PowerPAK 封装，它具有较低的热阻和优异的散热能力，非常适合在高温环境下工作。
此外，其快速开关性能使得 SI4966DY-T1-E3 在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
SI4966DY-T1-E3 广泛应用于多种高效能电力电子系统中，包括但不限于：
1. 笔记本电脑及台式机电源适配器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. ORing 二极管替代方案
4. 电机驱动电路
5. 高效 DC-DC 转换器
6. 负载切换和保护电路
其低 Rds(on) 和高电流处理能力使其成为这些应用中的理想选择。
SI4885DY, IRF7748PBF, FDP016N06L
