SI4948EY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效能电源转换、负载切换以及电机驱动应用。其设计优化了在高频开关条件下的性能表现。
型号:SI4948EY
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):25mΩ
ID(连续漏极电流):32A
Qg(总栅极电荷):17nC
fT(特征频率):3.1MHz
VGS(th)(栅源开启电压):1.2V~2.8V
封装形式:SO-8
工作温度范围:-55℃~150℃
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷(Qg),使其非常适合高频应用。
3. 高电流承载能力,最大支持32A的连续漏极电流。
4. 小巧的SO-8封装,节省PCB空间,同时提供出色的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电池保护电路和负载切换。
4. 电机驱动及控制电路。
5. 汽车电子设备,如引擎控制单元(ECU)、防抱死制动系统(ABS)等。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。
由于其卓越的性能和可靠性,这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的各类场景。
SI4949DY, IRFZ44N, FDP5580