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SI4948EY 发布时间 时间:2025/3/31 9:28:14 查看 阅读:6

SI4948EY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效能电源转换、负载切换以及电机驱动应用。其设计优化了在高频开关条件下的性能表现。

参数

型号:SI4948EY
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):25mΩ
  ID(连续漏极电流):32A
  Qg(总栅极电荷):17nC
  fT(特征频率):3.1MHz
  VGS(th)(栅源开启电压):1.2V~2.8V
  封装形式:SO-8
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,得益于其较低的栅极电荷(Qg),使其非常适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,最大支持32A的连续漏极电流。
  4. 小巧的SO-8封装,节省PCB空间,同时提供出色的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
  3. 电池保护电路和负载切换。
  4. 电机驱动及控制电路。
  5. 汽车电子设备,如引擎控制单元(ECU)、防抱死制动系统(ABS)等。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  7. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的各类场景。

替代型号

SI4949DY, IRFZ44N, FDP5580

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SI4948EY参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流3.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)120 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 下降时间12 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.4 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量100
  • 典型关闭延迟时间35 ns