时间：2025/3/31 9:28:14
阅读：26
SI4948EY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于各种高效能电源转换、负载切换以及电机驱动应用。其设计优化了在高频开关条件下的性能表现。
型号：SI4948EY
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：25mΩ
ID（连续漏极电流）：32A
Qg（总栅极电荷）：17nC
fT（特征频率）：3.1MHz
VGS(th)（栅源开启电压）：1.2V~2.8V
封装形式：SO-8
工作温度范围：-55℃~150℃
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷（Qg），使其非常适合高频应用。
3. 高电流承载能力，最大支持32A的连续漏极电流。
4. 小巧的SO-8封装，节省PCB空间，同时提供出色的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电池保护电路和负载切换。
4. 电机驱动及控制电路。
5. 汽车电子设备，如引擎控制单元（ECU）、防抱死制动系统（ABS）等。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的电源管理系统。
由于其卓越的性能和可靠性，这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的各类场景。
SI4949DY, IRFZ44N, FDP5580
