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SI4943DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/30 14:18:29 查看 阅读:7

SI4943DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装,专为高效率开关应用设计,适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  该 MOSFET 的最大特点是其低导通电阻和快速开关能力,能够在高频条件下提供出色的性能表现,同时保持较低的功耗。

参数

型号:SI4943DY-T1-E3
  封装:TO-252 (DPAK)
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):17mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):28A
  Qg(栅极电荷):10nC
  Vgs(th)(栅源阈值电压):2.5V~4.5V
  fmax(最高工作频率):1MHz
  Pd(总功耗):15W

特性

SI4943DY-T1-E3 提供了以下显著特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷(Qg),适合高频应用。
  3. 高额定电流 Id,确保在高负载条件下的稳定运行。
  4. 小型 DPAK 封装,便于 PCB 布局设计,同时有助于散热管理。
  5. 宽 Vgs 范围支持各种驱动电路,兼容不同逻辑电平输入。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的要求。

应用

该 MOSFET 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电机驱动与控制电路。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 工业自动化设备中的功率开关。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  7. 通信设备中的信号切换和功率分配。

替代型号

IRFZ44N
  STP28NF06L
  FDP5570
  AO4402

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SI4943DY-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流6.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)19 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间24 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.1 W
  • 上升时间24 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间56 ns
  • 零件号别名SI4943DY-E3