SI4943DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装,专为高效率开关应用设计,适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该 MOSFET 的最大特点是其低导通电阻和快速开关能力,能够在高频条件下提供出色的性能表现,同时保持较低的功耗。
型号:SI4943DY-T1-E3
封装:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):17mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):28A
Qg(栅极电荷):10nC
Vgs(th)(栅源阈值电压):2.5V~4.5V
fmax(最高工作频率):1MHz
Pd(总功耗):15W
SI4943DY-T1-E3 提供了以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷(Qg),适合高频应用。
3. 高额定电流 Id,确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 小型 DPAK 封装,便于 PCB 布局设计,同时有助于散热管理。
5. 宽 Vgs 范围支持各种驱动电路,兼容不同逻辑电平输入。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. LED 照明驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率开关。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
7. 通信设备中的信号切换和功率分配。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP5570
AO4402