时间：2025/5/30 14:18:29
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SI4943DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装，专为高效率开关应用设计，适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该 MOSFET 的最大特点是其低导通电阻和快速开关能力，能够在高频条件下提供出色的性能表现，同时保持较低的功耗。
型号：SI4943DY-T1-E3
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：17mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：28A
Qg（栅极电荷）：10nC
Vgs(th)（栅源阈值电压）：2.5V~4.5V
fmax（最高工作频率）：1MHz
Pd（总功耗）：15W
SI4943DY-T1-E3 提供了以下显著特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg），适合高频应用。
3. 高额定电流 Id，确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 小型 DPAK 封装，便于 PCB 布局设计，同时有助于散热管理。
5. 宽 Vgs 范围支持各种驱动电路，兼容不同逻辑电平输入。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. LED 照明驱动电路。
5. 工业自动化设备中的功率开关。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
7. 通信设备中的信号切换和功率分配。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP5570
AO4402
