时间：2025/7/8 8:42:21
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SI4943BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和高开关性能，适用于高频和高效能的应用场景。
这款功率 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、负载切换、电机控制以及其他需要高性能开关的应用领域。其封装形式为热增强型的 PowerPAK? 8x8 封装，有助于提升散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2250pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI4943BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可以有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 使用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，提升了器件的可靠性和效能。
4. 热增强型 PowerPAK? 8x8 封装，提供出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 可靠性高，能够在极端温度条件下稳定工作。
7. 提供了多种保护功能，如过流保护和短路保护等。
SI4943BDY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 通信电源和工业电源中的 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑和其他便携式设备中的负载切换。
3. 电池管理系统的充电和放电控制。
4. 电机驱动和控制，特别是小功率电机应用。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和多相 VR 控制器中的功率级元件。
6. 通用的高频功率转换和逆变器应用。
SI4880DP, SI4942DY
