时间：2025/6/17 0:14:03
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SI4940DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和较高的效率，适用于高频开关应用和功率管理领域。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装，具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：4050pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI4940DY-T1-E3 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，这使其在高效率功率转换应用中表现出色。此外，TrenchFET 技术的应用进一步优化了器件的开关特性和散热性能。该器件还具备快速开关速度和较低的开关损耗，适合高频工作环境。
其 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装设计不仅提供了优越的电气性能，还增强了热传导能力，从而提高了整体系统的可靠性。这种封装形式也便于 PCB 设计和自动化生产流程。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率转换场景，包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换、电信和网络设备中的电源管理模块等。同时，它也非常适合于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动车 (EV) 充电器等需要高效率和高性能的场合。
SI4941DY, SI4942DY, IRF3710
