时间：2025/6/11 19:49:24
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SI4924DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 Vishay 的 Siliconix 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关和功率管理应用。它采用 TO-263-3 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），从而提高了电路板的集成度和可靠性。
这款 MOSFET 专为需要高性能和低损耗的应用而设计，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等场景。
型号：SI4924DY-T1
封装：TO-263-3 (D2PAK)
最大漏源电压 Vds：40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：28A
导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：170W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温 Tj：175°C
SI4924DY-T1 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适用于高效能开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 支持高电流密度，使其适用于大功率应用。
7. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计和制造流程。
SI4924DY-T1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动器和工业自动化设备中的功率控制。
3. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
4. 通信设备和服务器中的电源管理模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率转换组件。
SI4924DY, SI4925DY
