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SI4922BDY 发布时间 时间:2025/5/28 20:18:15 查看 阅读:10

SI4922BDY 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能电源转换和负载开关应用。
  该芯片广泛用于消费电子、工业设备以及通信领域中的开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  开关时间:开启延迟时间 13ns,上升时间 8.8ns,关断延迟时间 32ns,下降时间 16ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

SI4922BDY 提供了卓越的电气性能,其关键特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,有助于减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 具备强大的雪崩能量承受能力,增强了在异常情况下的可靠性。
  4. 紧凑的 SO-8 封装形式,便于 PCB 布局和散热设计。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。

应用

SI4922BDY 的高性能使其适合应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)和适配器设计。
  2. 各种 DC-DC 转换器拓扑结构,如降压、升压和反激变换器。
  3. 高效负载开关和保护电路。
  4. 电机驱动与控制电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 可再生能源系统中逆变器和控制器的部分组件。

替代型号

SI4923DY, SI4415DY

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