SI4922BDY 时间：2025/5/28 20:18:15 阅读：15

SI4922BDY 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源转换和负载开关应用。
　　该芯片广泛用于消费电子、工业设备以及通信领域中的开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：27nC（典型值）
　　开关时间：开启延迟时间 13ns，上升时间 8.8ns，关断延迟时间 32ns，下降时间 16ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C

特性

SI4922BDY 提供了卓越的电气性能，其关键特性如下：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
　　3. 具备强大的雪崩能量承受能力，增强了在异常情况下的可靠性。
　　4. 紧凑的 SO-8 封装形式，便于 PCB 布局和散热设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际法规要求。

应用

SI4922BDY 的高性能使其适合应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）和适配器设计。
　　2. 各种 DC-DC 转换器拓扑结构，如降压、升压和反激变换器。
　　3. 高效负载开关和保护电路。
　　4. 电机驱动与控制电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 可再生能源系统中逆变器和控制器的部分组件。