时间：2025/4/29 12:36:21
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SI4921DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合高频开关应用以及高效率电源转换场景。
其封装形式为表面贴装的 SO-8 封装，具备紧凑的设计和良好的散热性能。由于其优异的电气特性，SI4921DY-T1-GE3 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
型号：SI4921DY-T1-GE3
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值@VGS=10V）：1.4mΩ
ID（连续漏极电流）：79A
VGS(th)（栅极开启电压）：1.5V~2.5V
Qg（总栅极电荷）：35nC
EAS（雪崩能量）：6.5mJ
封装：SO-8
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SI4921DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（最大 ID 为 79A），适用于大功率应用场景。
3. 紧凑的 SO-8 封装设计，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
4. 快速开关速度，得益于低 Qg 和优化的寄生参数，适合高频开关应用。
5. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于通过相关认证。
这些特性使 SI4921DY-T1-GE3 成为 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等应用的理想选择。
SI4921DY-T1-GE3 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机。
3. 负载开关和保护电路，用于便携式电子设备中的过流保护。
4. 多相 VRM（电压调节模块）设计，用于高性能处理器供电。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 通信设备中的高效功率转换方案。
其低 RDS(on) 和高开关频率特性使其成为这些应用中的关键元件。
SI4931DY-T1-GE3
SI4922DY-T1-GE3
IRF7843
FDP5570
