时间：2025/4/29 14:22:44
阅读：17
SI4913DY是Vishay Siliconix公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效率电源管理应用。它常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等领域。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8.5A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：17W
封装类型：TO-263 (DPAK)
工作温度范围：-55℃至+175℃
SI4913DY具有极低的导通电阻，从而降低了传导损耗，提高了系统效率。其快速开关性能使其非常适合高频开关应用。此外，该器件还具备优异的热稳定性和鲁棒性，能够承受瞬态电压和电流冲击。内置的ESD保护功能增强了芯片的可靠性。同时，由于采用了无铅封装，符合RoHS标准，满足环保要求。
该器件的低电荷量设计有助于减少开关损耗，进一步提升整体性能。其耐热增强型封装可改善散热性能，从而支持更高的电流密度和更小的PCB面积需求。
SI4913DY广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。具体应用场景包括但不限于笔记本电脑适配器、平板电视电源、LED照明驱动电路、USB充电端口保护、电池管理系统中的负载开关以及小型电机控制器等。此外，在多相电源管理方案中，该MOSFET也表现出了卓越的同步整流能力。
IRLR7843, AO3400A
