时间：2025/6/21 10:53:46
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SI4908DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? Gen III 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率管理应用。
这款 MOSFET 的封装形式为超薄型 3.3mm x 3.3mm PowerPAK? SC-75 封装，能够有效节省电路板空间，并提供卓越的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：11A
导通电阻：1.4mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：26nC
输入电容：1490pF
总热阻 (结至环境)：62°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4908DY-T1-E3 提供了非常低的导通电阻，能够在高频条件下减少传导损耗，同时其快速开关能力也显著降低了开关损耗。此外，TrenchFET 技术的使用使得器件在小尺寸封装中实现了高性能表现。
由于其支持宽范围的工作温度，并且具有出色的热性能，这款 MOSFET 非常适合于需要高效率和高可靠性的应用场景。
另外，它还具有极低的 Qg 和 Qgs 参数，有助于优化驱动电路设计，降低驱动功耗并提高整体系统效率。
该器件广泛应用于各种便携式电子设备和工业控制领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 同步整流电路
3. 直流电机驱动
4. 笔记本电脑和移动设备中的负载开关
5. LED 照明驱动
6. 工业自动化设备中的功率转换模块
7. 电池管理系统（BMS）
SI4870DY, SI4917DY, IRF7832TRPBF
