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SI4900DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/30 10:02:35 查看 阅读:4

SI4900DY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)生产的高效能、低功耗的射频收发器芯片。该芯片主要面向无线通信领域,特别适用于物联网 (IoT) 设备、智能家居、工业自动化以及消费类电子产品等场景。
  该芯片集成了先进的调制解调器技术与高性能射频前端模块,能够在 Sub-GHz 频段内实现长距离和高可靠性的数据传输。同时,其超低功耗特性使其非常适合电池供电的应用环境。

参数

工作频率范围:150 MHz 至 960 MHz
  输出功率:+20 dBm
  灵敏度:-123 dBm(典型值)
  调制方式:FSK、GFSK、MSK、OQPSK
  最大数据速率:2 Mbps
  封装形式:4 mm x 4 mm QFN
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4900DY-T1-E3 具备卓越的射频性能和灵活的配置选项,使其能够满足多种无线通信需求。
  1. 高集成度设计减少了外围元件的需求,从而降低了整体解决方案的成本和尺寸。
  2. 支持多种调制模式,允许开发人员根据具体应用场景选择最优方案。
  3. 内置强大的数字信号处理功能,提高了链路预算和抗干扰能力。
  4. 提供全面的低功耗模式,包括睡眠模式下的微安级电流消耗,显著延长了设备的续航时间。
  5. 简化了射频匹配网络的设计流程,通过内置的自动校准算法确保最佳性能。
  6. 包含丰富的外设接口,如 SPI 和 UART,方便与主控 MCU 进行数据交互。

应用

这款芯片广泛应用于需要稳定无线连接的各种场合,例如:
  1. 智能家居系统中的无线传感器网络,用于监测温度、湿度或安防状态。
  2. 工业控制领域中的远程监控设备,支持多节点的数据采集与传输。
  3. 农业自动化项目中的土壤水分检测仪和其他环境感知装置。
  4. 消费类电子产品,如无线键盘、鼠标及游戏控制器。
  5. 医疗健康领域的可穿戴设备,提供实时生理数据上传功能。

替代型号

SI4463, SX1276, CC1101

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SI4900DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4900DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds665pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4900DY-T1-E3TR