时间：2025/5/12 12:52:50
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SI4894BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高效率的特点，非常适合用于需要高效能和快速开关的应用场景。其封装形式为 TSOP-6，具有出色的散热性能和紧凑的设计，适用于空间受限的应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.2A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：1470pF
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4894BDY-T1-GE3 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，其快速开关能力和低栅极电荷使得它在高频应用中表现出色。
该器件还具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。由于采用了先进的 TrenchFET 技术，其单位面积内的电流承载能力更高，从而实现了更小的封装尺寸和更高的功率密度。
其 TSOP-6 封装设计简化了 PCB 布局，并且提供了良好的散热路径，能够有效降低结温，延长使用寿命。
这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及各种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
在汽车电子领域，它可以用于启动马达控制、燃油喷射系统和车身控制模块等场合。此外，由于其高可靠性和耐高温性能，也适合用在太阳能逆变器和其他新能源相关产品中。
SI4897DD, SI4446DY, IRF7843
