时间：2025/5/10 8:53:47
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SI4890DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在实现低导通电阻和高效率性能。它适合用于开关电源、负载开关、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
SI4890DY-T1-GE3 的封装形式为 SOT-23-3L，具有小尺寸和高散热效率的特点，使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：4.2A
最大栅源电压：±8V
导通电阻（典型值）：5.7mΩ
栅极电荷：3.2nC
反向恢复时间：不适用（无内置二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SOT-23-3L
SI4890DY-T1-GE3 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 5.7mΩ（典型值），这使得其在导通状态下的功耗极低，从而提高了整体系统效率。
此外，其小型化的 SOT-23-3L 封装非常适合于便携式设备和对 PCB 空间要求严格的应用中。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内可靠工作，适用于工业和汽车等苛刻环境中的应用。
TrenchFET Gen III 技术的应用进一步提升了其电气性能和可靠性。
SI4890DY-T1-GE3 广泛应用于各种功率电子电路中，包括但不限于：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理与保护
4. 电机驱动控制
5. 负载开关
6. 工业自动化与控制
7. 消费类电子产品中的高效功率转换模块
由于其低导通电阻和高效率特性，这款 MOSFET 特别适合需要高频开关和低损耗的应用场景。
SI4884DY, SI4891DY, IRF7843TRPBF
