时间：2025/5/8 9:02:07
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SI4884DY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SO-8封装，适用于高频开关应用和功率管理领域。由于其低导通电阻和快速开关速度，SI4884DY被广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能的电子设备中。
SI4884DY的特点在于能够在高电流条件下保持较低的功耗，同时提供出色的热性能。这种特性使得它非常适合用于空间有限且对散热要求较高的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：1080pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. SO-8小型封装，节省PCB空间并简化布局。
5. 良好的热性能，能够有效处理高功率密度环境下的散热问题。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 汽车电子设备中的功率分配开关。
6. 工业自动化系统中的信号隔离与保护电路。
SI4887DY, SI4416DP, IRF7833TRPBF
