时间：2025/6/18 22:49:01
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SI4874DY-T1-E3是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TrenchFET? Gen III技术制造，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于高效率的功率转换应用。其封装形式为DSBGA-6，非常适合空间受限的设计。
型号：SI4874DY-T1-E3
类型：N沟道MOSFET
封装：DSBGA-6
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅极驱动电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：1.1mΩ @ Vgs=4.5V
总栅极电荷(Qg)：3nC
输入电容(Ciss)：1330pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
SI4874DY-T1-E3具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
1. 使用TrenchFET?第三代技术优化了单位面积内的性能，提供卓越的功率密度。
2. 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在负载电流较高时可有效减少功耗。
3. 小巧的DSBGA-6封装使得该器件特别适合于移动设备和其他对体积要求严格的场合。
4. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
SI4874DY-T1-E3广泛应用于需要高效功率管理的场景中：
1. 移动设备中的DC-DC转换器。
2. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理模块。
3. 通信系统的负载点（POL）转换器。
4. 高效同步整流电路。
5. 消费类电子产品中的电池充电解决方案。
6. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
SI4879DY-T1-E3, SI4878DY-T1-E3
