时间：2025/7/11 20:11:34
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SI4864DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的电路中。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，能够提供出色的性能表现，适用于高频开关应用和负载切换场景。其封装形式为微型的 PowerPAK? SC-70，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：10nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：PowerPAK? SC-70
SI4864DY-T1-E3 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在功率转换应用中具有较高的效率并减少热量产生。
此外，该器件具备较小的栅极电荷，从而实现了更快的开关速度，进一步降低了开关损耗。
由于采用了先进的 TrenchFET? 第三代工艺，这款 MOSFET 在高频条件下表现出色，同时还能承受一定的浪涌电流，增强了可靠性。
它的微型封装使其成为便携式设备、消费电子以及通信系统等领域的理想选择。
该器件适合多种应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. DC/DC 转换器中的功率 MOSFET
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 电机驱动与控制电路
5. 移动设备和消费类电子产品中的高效功率管理
6. 数据通信及网络设备中的信号路由与保护
SI4863DY, SI4406DY, BSC007N06NS
