时间：2025/6/20 12:57:06
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SI4848DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，能够提供极低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流处理能力。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景中，适合需要高效能和高可靠性的设计。
该型号采用了表面贴装封装 (TO-252/DPAK)，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1490pF
工作结温范围：-5°C
封装形式：TO-252(DPAK)
SI4848DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高高频运行时的性能。
4. 优化的热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
5. 具备强大的抗雪崩能力和 ESD 防护功能，提高了整体可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这些特性使得 SI4848DY-T1-GE3 成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 工业电机控制和驱动电路。
5. 各种便携式设备的充电解决方案。
6. 汽车电子系统中的负载控制与保护。
由于其出色的性能表现，该芯片几乎可以满足所有需要高效能开关操作的需求。
SI4860DY, SI4844DY, IRF3710
