时间：2025/5/22 14:34:45
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SI4848DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高效率性能，非常适合用于高频开关应用、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。
这款 MOSFET 的封装形式为 Thermally Enhanced ThinPowerPAK SO-8 (TSSOP-8)，具备出色的散热性能和紧凑的设计，便于在空间受限的应用中使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：6nC
输入电容：1790pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI4848DY-T1-E3 具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其优化的开关性能可以有效降低驱动损耗，并且由于采用了 Thermally Enhanced ThinPowerPAK 封装，能够提供卓越的热管理能力。
此外，该器件还支持较高的工作温度范围，使其能够在严苛环境下稳定运行。同时，它的小型化封装也使得其易于集成到各种便携式电子产品设计中。
Vishay 的 TrenchFET 技术确保了 SI4848DY-T1-E3 在高频操作下的高效表现，同时保持较低的电磁干扰（EMI）。这使得该产品成为众多工业、通信及消费类应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器中的同步整流、负载开关、电机驱动电路、电池保护以及电源管理模块等场景。
在便携式电子设备如笔记本电脑适配器、智能手机和平板电脑充电器中也有广泛应用。
此外，SI4848DY-T1-E3 还可用于电信设备中的电源转换解决方案，例如基站电源和网络交换机供电单元。
由于其出色的热性能和高频特性，该元件也非常适合电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的辅助电源系统设计。
SI4850DY, IRF7848TRPBF, AO3400A
