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SI4842BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 21:54:34 查看 阅读:29

SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技术制造。这款器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,适用于高频开关应用和电源管理领域。其优化的设计使其在小封装中提供了出色的性能表现,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻(典型值):1.0mΩ
  栅极电荷:79nC
  开关频率:支持高达 MHz 级别
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263-7

特性

SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,可满足大功率应用的需求。
  3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术,具备更高的单位面积功率密度。
  4. 超低栅极电荷和输出电荷设计,适合高频开关应用。
  5. 支持恶劣环境下的工作,具备良好的热稳定性和可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺生产。
  7. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛使用条件。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
  3. 电机驱动和逆变器电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的电源模块。
  6. 高效能源转换系统,例如太阳能微逆变器。
  7. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器配套使用。

替代型号

SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL

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SI4842BDY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3650pF @ 15V
  • 功率 - 最大6.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)