时间：2025/6/5 21:54:34
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SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。这款器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点，适用于高频开关应用和电源管理领域。其优化的设计使其在小封装中提供了出色的性能表现，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：52A
导通电阻（典型值）：1.0mΩ
栅极电荷：79nC
开关频率：支持高达 MHz 级别
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263-7
SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用的需求。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，具备更高的单位面积功率密度。
4. 超低栅极电荷和输出电荷设计，适合高频开关应用。
5. 支持恶劣环境下的工作，具备良好的热稳定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
7. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛使用条件。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的电源模块。
6. 高效能源转换系统，例如太阳能微逆变器。
7. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器配套使用。
SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL
