SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技术制造。这款器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点,适用于高频开关应用和电源管理领域。其优化的设计使其在小封装中提供了出色的性能表现,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:52A
导通电阻(典型值):1.0mΩ
栅极电荷:79nC
开关频率:支持高达 MHz 级别
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263-7
SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力,可满足大功率应用的需求。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术,具备更高的单位面积功率密度。
4. 超低栅极电荷和输出电荷设计,适合高频开关应用。
5. 支持恶劣环境下的工作,具备良好的热稳定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺生产。
7. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛使用条件。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级 MOSFET。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的电源模块。
6. 高效能源转换系统,例如太阳能微逆变器。
7. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器配套使用。
SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL