时间：2025/5/8 20:00:35
阅读：23
SI4835BDY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：2720pF
总功耗：16W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：PowerPAK? 8x8
SI4835BDY-T1 的主要特点是其采用了先进的 TrenchFET 技术，从而实现了极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
该器件还具备非常低的栅极电荷，能够实现快速开关，减少开关损耗。
其 PowerPAK? 封装不仅提供了卓越的散热性能，还简化了 PCB 布局设计，支持表面贴装工艺以提高生产效率。
此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行在高温环境下的应用。
SI4835BDY-T1 广泛应用于各种高效率功率转换场景中，包括但不限于：
DC-DC 转换器
同步整流器
负载点 (POL) 转换器
电机驱动器
电池保护电路
服务器和通信电源供应
消费电子设备中的电源管理模块
SI4838DY-T1
Si4840DY-T1
IRLR7843PbF
