时间：2025/5/29 17:28:38
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SI4825DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其封装形式为小外形晶体管 (SOT-23) 封装，适合于空间受限的设计环境。
该器件常用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：12输入电容）：290pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI4825DDY-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，优化了性能与成本之间的平衡。
4. 小尺寸 SOT-23 封装，便于在紧凑设计中使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 宽泛的工作温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
该器件广泛应用于多个领域，例如：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. USB 充电器及便携式电子设备的电源管理。
5. 工业自动化系统中的信号隔离与功率分配。
6. 高效 LED 驱动器中的开关元件。
SI4828DY, SI4404DY, BSS138
