时间：2025/5/21 21:39:20
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SI4825DDY-T1-EG3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 Vishay 的功率 MOSFET 技术，适用于高效能开关应用。其采用小型化的 DPAK 封装形式（TO-263），能够在高频和高电流条件下提供出色的性能。
该型号属于 SiHF 系列的功率 MOSFET，优化了导通电阻与开关特性，非常适合用于直流电机驱动、电源管理、负载开关以及各种功率转换电路中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI4825DDY-T1-EG3 的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力，使其在高效率应用中表现优异。此外，它还具备以下特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 较小的栅极电荷，有助于降低开关损耗并提升高频性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 工作温度范围宽广，适应多种严苛环境下的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业设计要求。
该器件广泛应用于需要高效功率控制的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机驱动和逆变器控制。
3. 负载开关及保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
6. 各种便携式电子设备中的电源管理单元。
SI4826DDY-T1-E3
SI4828DY-T1-E3
IRF3710
FDP5500NL
