时间：2025/5/13 11:23:52
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SI4822DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 TO-263-3 封装，广泛用于开关电源、负载开关、DC-DC 转换器以及其他功率管理应用中。其低导通电阻和高效率特性使得它在需要高效能功率切换的应用中表现出色。
这款 MOSFET 通过优化设计实现了更低的功耗和更高的可靠性，适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：7.2A
最大栅极驱动电压：±20V
导通电阻（典型值）：15mΩ
总功耗：29W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3
SI4822DY-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低导通损耗并提高整体效率。
2. 较高的漏源击穿电压 (BVDSS)，能够承受较高的瞬态电压冲击。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗，并适合高频应用。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 宽广的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
这些特性共同确保了 SI4822DY-T1-GE3 在各种复杂电路中的高性能表现。
该型号的 MOSFET 可以应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 各类 DC-DC 转换器中作为功率开关。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换。
6. 消费电子产品中的过流保护和短路保护功能实现。
由于其高效的性能和广泛的适用性，SI4822DY-T1-GE3 成为许多设计工程师的首选器件。
SI4823DY, IRFZ44N, FDP5800
