时间：2025/4/25 14:26:31
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SI4816BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻、高效率和快速开关性能等特性。其封装形式为 TinySOT-23 封装（SC-70），适用于需要节省空间的应用场景。
该 MOSFET 的典型应用包括负载切换、DC-DC 转换器、电源管理电路以及电池供电设备中的功率管理。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：4.5nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI4816BDY-T1-GE3 具有非常低的导通电阻，这使得它在功耗敏感型应用中表现优异。同时，其快速的开关速度可以有效降低开关损耗。
由于采用了 TinySOT-23 封装，这款 MOSFET 非常适合那些对 PCB 空间要求严格的场合。此外，它的高雪崩击穿能力增强了系统的可靠性。
该器件的工作温度范围宽广，能够适应各种恶劣环境下的应用需求。同时，其栅极驱动要求较低，方便与各类驱动器搭配使用。
该功率 MOSFET 常用于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路、LED 驱动器以及消费类电子产品的电源管理模块。
它也非常适合用作信号切换和低侧开关，在音频放大器、数据通信接口、汽车电子控制单元（ECU）等场景中都有广泛的应用潜力。
SI4402DY-T1-E3, SI4829CDY-T1-GE3
