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SI4599DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/28 17:26:17 查看 阅读:2

SI4599DY-T1-GE3 是一款基于硅技术的高效肖特基二极管,由 Vishay 提供。该器件具有低正向电压和快速恢复时间的特点,非常适合高频整流应用以及需要高效率和低损耗的设计场景。此外,它采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式,能够提供良好的散热性能和可靠性。
  此型号属于 Vishay 的 SIL-S 系列,主要针对汽车电子、电源转换器、电机驱动以及其他工业级应用进行了优化。

参数

最大重复峰值反向电压:60V
  最大直流阻断电压:50V
  最大平均整流输出电流:3A
  典型正向电压(@If=2A):0.38V
  最大正向电压(@If=3A):0.47V
  最大反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结至环境):40°C/W
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  湿度敏感等级:MSL 3

特性

SI4599DY-T1-GE3 具备以下关键特性:
  1. 极低的正向电压降,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速恢复时间,使其适合高频开关应用。
  3. 高达 175°C 的工作温度范围,保证了在极端环境下的稳定运行。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,满足汽车级质量要求。
  5. 无铅设计,符合 RoHS 和绿色标准。
  6. 良好的浪涌能力,确保在瞬态条件下也能保持可靠性。
  7. 小型化封装,节省 PCB 空间同时便于安装与维护。

应用

该二极管广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的高频整流。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 汽车电子系统,如引擎控制单元 (ECU) 和车身控制模块 (BCM)。
  4. 电机驱动电路中的续流保护。
  5. 工业自动化设备中的电源管理。
  6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
  7. 各类便携式设备的充电管理电路。

替代型号

SI4582DY-T1-GE3, SI4599AL-T1-GE3, 1SS402T

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SI4599DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A,5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35.5 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 20V
  • 功率 - 最大3W,3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4599DY-T1-GE3TR