SI4558DY-T1-E3 是一款来自 Vishay 的双通道 N 没有 P 互补 MOSFET 功率级 IC,专为高效能 DC-DC 转换器和同步整流应用而设计。它集成了两个独立的功率 MOSFET(一个高边和一个低边),能够有效降低导通电阻并提高整体系统效率。该器件采用小型化的 TSSOP20 封装,具有出色的热性能和紧凑尺寸,非常适合空间受限的应用场景。
通过集成驱动器和功率 MOSFET,SI4558DY-T1-E3 不仅简化了电路设计,还减少了外部元件数量,从而降低了总体成本和 PCB 占用面积。
型号:SI4558DY-T1-E3
封装类型:TSSOP20
VDS(耐压):30V
RDS(on)(导通电阻):高边 MOSFET:16.5mΩ(典型值,VGS=10V)
RDS(on)(导通电阻):低边 MOSFET:7.5mΩ(典型值,VGS=10V)
连续漏极电流:11A(高边)、21A(低边)
栅极电荷:29nC(高边)、16nC(低边)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功耗:约 2.8W(在 θJA=45°C/W 下)
SI4558DY-T1-E3 集成了高效的功率 MOSFET 和驱动器,适用于高频开关应用。其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),显著减少传导损耗并提升效率。
2. 高边和低边 MOSFET 集成在同一芯片上,简化了 PCB 布局。
3. 支持高达 2MHz 的开关频率,适合高频开关电源。
4. 出色的热性能和可靠性,可满足工业和汽车级别的应用需求。
5. 内置过温保护和欠压锁定功能,确保系统的安全运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该器件广泛应用于各种高效能电源管理领域,包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器,例如降压、升压或反相拓扑结构。
3. 笔记本电脑和平板电脑适配器。
4. 便携式电子设备中的电池充电管理。
5. 工业自动化控制和通信设备中的电源模块。
6. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动器。
SI4445DY-E3, SI4474DY-E3