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SI4558DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/14 11:29:54 查看 阅读:5

SI4558DY-T1-E3 是一款来自 Vishay 的双通道 N 没有 P 互补 MOSFET 功率级 IC,专为高效能 DC-DC 转换器和同步整流应用而设计。它集成了两个独立的功率 MOSFET(一个高边和一个低边),能够有效降低导通电阻并提高整体系统效率。该器件采用小型化的 TSSOP20 封装,具有出色的热性能和紧凑尺寸,非常适合空间受限的应用场景。
  通过集成驱动器和功率 MOSFET,SI4558DY-T1-E3 不仅简化了电路设计,还减少了外部元件数量,从而降低了总体成本和 PCB 占用面积。

参数

型号:SI4558DY-T1-E3
  封装类型:TSSOP20
  VDS(耐压):30V
  RDS(on)(导通电阻):高边 MOSFET:16.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  RDS(on)(导通电阻):低边 MOSFET:7.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  连续漏极电流:11A(高边)、21A(低边)
  栅极电荷:29nC(高边)、16nC(低边)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  功耗:约 2.8W(在 θJA=45°C/W 下)

特性

SI4558DY-T1-E3 集成了高效的功率 MOSFET 和驱动器,适用于高频开关应用。其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),显著减少传导损耗并提升效率。
  2. 高边和低边 MOSFET 集成在同一芯片上,简化了 PCB 布局。
  3. 支持高达 2MHz 的开关频率,适合高频开关电源。
  4. 出色的热性能和可靠性,可满足工业和汽车级别的应用需求。
  5. 内置过温保护和欠压锁定功能,确保系统的安全运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该器件广泛应用于各种高效能电源管理领域,包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,例如降压、升压或反相拓扑结构。
  3. 笔记本电脑和平板电脑适配器。
  4. 便携式电子设备中的电池充电管理。
  5. 工业自动化控制和通信设备中的电源模块。
  6. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动器。

替代型号

SI4445DY-E3, SI4474DY-E3

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SI4558DY-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)40 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 下降时间24 ns, 25 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.4 W
  • 上升时间12 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间27 ns, 38 ns
  • 零件号别名SI4558DY-E3