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SI4542DY 发布时间 时间:2025/6/26 12:10:43 查看 阅读:7

SI4542DY是来自Skyworks公司的双通道射频开关,采用小型化的SOT-363封装形式。它主要用于需要高频切换的应用场景中,如无线通信设备、蜂窝网络模块、Wi-Fi路由器以及其他射频系统。该芯片具有低插入损耗和高隔离度的特点,能够有效提升信号传输效率并减少干扰。
  SI4542DY的两个独立通道允许同时控制多路射频信号,从而简化了复杂系统的射频路径设计。其出色的线性性能和低功耗特性使得它在便携式设备和对能效敏感的应用中表现尤为突出。

参数

工作频率范围:100MHz至3GHz
  插入损耗:0.7dB(典型值)
  隔离度:28dB(最小值)
  VDD电源电压:1.8V至3.3V
  静态电流:25μA(最大值)
  封装形式:SOT-363
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

SI4542DY支持双SPST(单刀单掷)开关配置,能够灵活适应不同的射频架构需求。
  其具备低插入损耗和高隔离度,有助于优化射频链路预算,并提高系统的整体性能。
  该器件采用了CMOS工艺制造,确保了较低的功耗以及与数字逻辑电路的良好兼容性。
  内置ESD保护功能增强了芯片的可靠性,使其适合各种工业和消费类应用环境。
  此外,SI4542DY的小型化封装有助于节省PCB空间,特别适用于紧凑型设计。

应用

SI4542DY广泛应用于无线通信领域,包括但不限于:
  蜂窝电话中的射频前端模块
  Wi-Fi路由器和接入点
  蓝牙模块及Zigbee等短距离无线通信设备
  GPS接收器和其他导航设备
  物联网(IoT)终端设备
  医疗电子设备中的无线数据传输模块
  汽车电子系统中的远程信息处理单元

替代型号

SI4541DY
  SKY13324-307LF
  RF2201

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SI4542DY参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4542DY-NDSI4542DYTR