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SI4539ADY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/7 14:47:04 查看 阅读:7

SI4539ADY-T1-GE3 是一款由 Skyworks 提供的高集成度射频功率放大器模块 (PAM),主要用于 3G 和 4G 手机、平板电脑以及数据卡中的多模多频无线通信应用。该模块基于砷化镓 (GaAs) 工艺制造,提供卓越的线性度和效率性能,同时支持多种蜂窝通信标准。
  该器件将多个射频功能集成到单一模块中,包括功率放大器、开关、滤波器和控制逻辑,从而减少了外部元件的需求并简化了设计流程。

参数

工作频率:700 MHz 至 2700 MHz
  输出功率:28 dBm(典型值)
  增益:25 dB(典型值)
  电源电压:3.4V
  电流消耗:峰值电流为 1.1A
  封装尺寸:3.6 mm x 3.6 mm x 0.85 mm
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 高效率的功率放大器,在多种模式下保持稳定的输出性能。
  2. 内置旁路和低噪声模式,能够灵活适应不同应用场景。
  3. 支持包络跟踪 (Envelope Tracking) 技术,以进一步提高能效。
  4. 具备全面的保护机制,例如过温保护和过流保护,确保在各种环境下的安全运行。
  5. 紧凑的封装设计使得它非常适合于空间受限的应用场景。
  6. 集成了匹配网络,减少外围电路复杂度,并简化 PCB 布局设计。

应用

1. LTE 和 WCDMA 移动终端设备,如智能手机和平板电脑。
  2. 数据通信模块,包括 USB 数据卡和 MiFi 路由器。
  3. 物联网 (IoT) 设备中的无线连接模块。
  4. 可穿戴设备和其他需要高效射频信号传输的小型电子设备。
  5. 便携式通信设备,要求高性能和低功耗的射频解决方案。

替代型号

SI4549ADY-T1-GE3, SI4539CDY-T1-GE3

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SI4539ADY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A,3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 5.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)