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SI4505DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/12/24 5:48:31 查看 阅读:22

SI4505DY-T1-E3 是一款由 Skyworks 提供的射频功率放大器模块,专为 ZigBee 和 IEEE 802.15.4 应用设计。该器件在 2.4GHz ISM 频段工作,能够提供高线性输出功率和良好的效率,适用于无线传感器网络、家庭自动化、工业控制等低功耗广域网场景。
  此模块集成了一个高效的功率放大器、谐波滤波器以及匹配网络,从而简化了系统设计并减少了外部元件的数量。

参数

工作频率:2400-2500 MHz
  输出功率:+20 dBm
  电源电压:2.7V 至 3.6V
  电流消耗:200 mA(典型值)
  增益:19 dB(典型值)
  封装形式:MLP 4x4
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4505DY-T1-E3 的主要特点包括:
  1. 高输出功率和高效率,能够在保持线性的同时提供最大输出功率。
  2. 内置谐波滤波器,减少对外部滤波组件的需求。
  3. 简化的匹配网络,便于集成到各种射频前端设计中。
  4. 小型化封装,适合对空间要求严格的便携式设备。
  5. 支持多种调制模式,包括 OQPSK 和其他常见的数字调制方式。
  6. 较低的静态电流消耗,延长电池供电设备的工作时间。
  7. 具备出色的热稳定性,在宽温度范围内表现一致。

应用

SI4505DY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. ZigBee 和 IEEE 802.15.4 网络中的节点和路由器。
  2. 智能家居控制系统,如无线灯光控制、温控器和其他家庭自动化设备。
  3. 工业无线监控和数据采集系统。
  4. 医疗健康设备,例如无线心率监测仪或血压计。
  5. 物联网 (IoT) 中的各类短距离无线通信方案。
  6. 农业自动化及环境监测系统。
  7. 远程控制玩具和其他消费类电子产品。

替代型号

SI4506DY-T1-E3

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SI4505DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V,8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A,3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)