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SI4455DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/29 14:43:04 查看 阅读:2

SI4455DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的高性能、低功耗的无线收发器芯片,工作在 315/433/868/915 MHz ISM 频段。该芯片采用直接变频架构,集成了一个高效率的功率放大器和一个低噪声接收器,适用于各种低功耗无线应用。
  这款芯片具有优异的链路预算性能,可以支持多种调制模式,并且提供了灵活的编程接口以满足不同应用场景的需求。

参数

工作频率:315/433/868/915 MHz
  输出功率:+20 dBm(典型值)
  灵敏度:-116 dBm(典型值,GFSK,1.2 kbps)
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作电流:3.5 mA(接收模式,典型值)
  待机电流:20 nA(典型值)
  数据速率:0.15 kbps 至 300 kbps
  调制方式:ASK, OOK, FSK, GFSK

特性

SI4455DY-T1-GE3 提供了出色的射频性能,具有高输出功率和极高的接收灵敏度,能够实现远距离无线通信。
  它内置了高效的功率放大器和低噪声放大器,减少了对外部元器件的依赖,从而简化了设计并降低了整体成本。
  此外,芯片支持多种调制模式和数据速率,适应性强,适合多种不同的无线通信协议。
  芯片还具备低功耗特性,非常适合电池供电的应用场景,如远程传感器、家庭自动化和无线报警系统等。
  其灵活的配置选项通过 SPI 接口进行控制,允许用户根据实际需求优化系统性能。

应用

SI4455DY-T1-GE3 广泛应用于需要低功耗和远距离无线通信的领域,包括但不限于:
  1. 家庭自动化系统,例如智能灯光控制、温度监控等。
  2. 工业无线传感器网络,用于环境监测、设备状态跟踪等。
  3. 远程控制设备,例如车库门开启器、无线遥控器等。
  4. 安防系统,例如无线报警器、烟雾探测器等。
  5. 智能健康设备,例如无线心率监测器、步数追踪器等。

替代型号

SI4432, CC1101

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SI4455DY-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压150 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)295 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 50 C
  • 功率耗散3.1 W
  • 工厂包装数量2500
  • 零件号别名SI4455DY-GE3