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SI4435DY 发布时间 时间:2025/4/28 12:50:21 查看 阅读:3

SI4435DY 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)推出的高性能、低功耗的 Sub-GHz 射频收发器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片支持多种调制模式,并提供灵活的配置选项,使其能够满足物联网 (IoT)、工业控制、智能家居和无线传感器网络等应用场景的需求。
  SI4435DY 支持频率范围为 119 MHz 至 1050 MHz,具有高灵敏度和强大的抗干扰能力,能够在复杂的射频环境中稳定工作。

参数

频率范围:119 MHz 至 1050 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大值)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值,FSK 调制)
  调制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK、ASK
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN40(6 mm x 6 mm)

特性

SI4435DY 的主要特性包括:
  1. 高度集成的设计,内置了 PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)以及 Balun 等组件,减少了外部元件的需求。
  2. 支持多种调制模式,可以根据具体应用选择最适合的调制方式。
  3. 提供高达 +20 dBm 的可编程输出功率,确保远距离传输性能。
  4. 极低的接收电流和待机电流,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
  5. 内置 CRC、数据白化和前导检测功能,简化了协议栈的开发。
  6. 支持空中固件升级 (FOTA),方便远程更新设备软件。
  7. 具备良好的共存性,适合多协议或混合网络环境。

应用

SI4435DY 广泛用于以下应用领域:
  1. 物联网 (IoT) 设备,如智能门锁、环境监测传感器等。
  2. 工业自动化系统,例如远程监控、过程控制等。
  3. 智能家居产品,包括无线开关、安防报警系统等。
  4. 无线传感器网络 (WSN),适用于农业、物流和健康监测等领域。
  5. 无线抄表系统,如水表、电表和气表的数据采集与传输。
  6. 医疗电子设备,例如可穿戴健康监测装置。

替代型号

SI4432、SI4463、CC1101

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SI4435DY参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2320pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*SI4435DY