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SI4425BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/8 14:58:07 查看 阅读:11

SI4425BDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)推出的高性能、低功耗的 sub-GHz 无线收发器芯片。该芯片主要应用于物联网 (IoT) 设备、家庭自动化、工业控制和消费类电子产品等领域,支持多种调制模式和全球范围内的 ISM 频段操作。
  SI4425 提供灵活的配置选项,可以满足不同应用对数据速率、传输距离和能耗的要求。其内置的功能模块包括频率合成器、功率放大器、低噪声放大器以及数字基带处理器等,极大地简化了系统设计。

参数

工作频段:315 MHz 至 960 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-121 dBm(典型值,FSK 调制下)
  供电电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作电流:接收模式 - 14.4 mA;发射模式(+10 dBm)- 27.4 mA
  待机电流:0.2 μA
  调制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK、ASK
  数据速率:0.15 kbps 至 500 kbps
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4425BDY-T1-GE3 具有高度集成的设计,包含一个高效的功率放大器和一个低噪声前端,能够实现远距离通信和高抗干扰能力。
  芯片内嵌了多种省电模式,使得设备在电池供电的情况下也可以长时间运行。此外,它支持多协议操作,允许用户自定义包格式和帧结构。
  该器件还集成了自动应答和自动重传功能,以提高链路可靠性和降低主控制器的负载。通过 SPI 或 UART 接口可轻松与微控制器连接,并且提供了完整的开发套件和软件库,方便开发者快速上手。

应用

SI4425BDY-T1-GE3 广泛适用于各类无线通信场景,包括但不限于:
  智能家居控制系统,如灯光控制、温湿度监控等。
  工业遥测和远程监控系统。
  无线报警与安防设备。
  医疗健康监测装置。
  消费类电子产品的短距离数据传输。

替代型号

SI4432
  SI4463

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SI4425BDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 11.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)