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SI4410BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/9 9:54:05 查看 阅读:12

SI4410BDY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低功耗 Sub-GHz RF 收发器芯片,适用于各种无线应用。该芯片基于高效的 FSK 和 OOK 调制技术,支持灵活的协议配置和数据速率范围。其卓越的接收灵敏度和输出功率使其非常适合需要长距离通信的场景。
  SI4410 集成了一个高性能的射频前端,支持从 150 MHz 到 960 MHz 的广泛频率范围。此外,它还内置了多种省电模式,可显著延长电池供电设备的工作时间。

参数

工作频率范围:150 MHz 至 960 MHz
  输出功率:+20 dBm(最大)
  接收灵敏度:-124 dBm(FSK,1.2 kbps)
  调制方式:FSK,OOK
  数据速率:0.15 kbps 至 500 kbps
  供电电压:1.8 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN32 (5x5 mm)
  电流消耗:接收模式:9.5 mA;发射模式(+10 dBm):35 mA

特性

1. 宽广的频率范围覆盖多个全球 Sub-GHz ISM 频段,适应多种地区法规。
  2. 内置硬件加速器简化了协议栈实现,并降低主控 MCU 的负载。
  3. 灵活的数据速率设置,能够满足从低速传感器网络到高速数据传输的需求。
  4. 多种功率管理模式确保在待机和深度睡眠模式下的超低功耗性能。
  5. 高度集成的设计减少了外部元件需求,从而节省 PCB 空间和成本。
  6. 支持高抗干扰能力,适合复杂的射频环境。
  7. 提供强大的链路预算,实现更远的通信距离。
  8. 具备丰富的寄存器接口,便于开发者进行自定义配置。

应用

SI4410BDY-T1-E3 广泛应用于各类无线通信领域,包括智能家居设备、工业自动化控制、无线抄表系统、远程监控装置、医疗健康监测仪器以及农业物联网解决方案等。其低功耗特性和远距离通信能力使得它特别适合电池供电的设备,例如烟雾报警器、门磁开关、温湿度传感器和其他 IoT 终端节点。

替代型号

SI4412BRZ-T1-E3, SI4432BGZ-T1-E3

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SI4410BDY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4410BDY-T1-E3-NDSI4410BDY-T1-E3TR