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SI4362BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/4 5:28:45 查看 阅读:19

SI4362BDY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)推出的高性能、低功耗的 Sub-GHz 射频收发器芯片。该芯片主要面向无线通信应用,支持多种调制模式和灵活的频率配置,广泛应用于物联网设备、工业控制、智能家居以及远程传感器网络等领域。其高度集成的设计减少了外部元件的需求,从而简化了设计复杂度并降低了系统成本。

参数

工作频率范围:119MHz 至 1050MHz
  输出功率:+20dBm(最大值)
  接收灵敏度:-121dBm(典型值,GFSK 调制下)
  供电电压:1.8V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN40 (6x6mm)
  数据速率:高达 1Mbps
  调制方式:FSK, GFSK, OOK, MSK

特性

SI4362BDY-T1-E3 具有高集成度和出色的射频性能。
  1. 支持宽范围的工作频率,满足全球不同地区的频段需求。
  2. 内置 DC-DC 转换器,可有效降低功耗,延长电池寿命。
  3. 提供灵活的调制选项,包括 FSK、GFSK、OOK 和 MSK 等,适应多种无线协议。
  4. 集成了高效的功率放大器(PA),确保远距离传输能力。
  5. 内部包含自动增益控制(AGC)功能,优化接收性能。
  6. 支持空中固件升级(FOTA),便于后期维护和功能扩展。
  7. 提供完整的开发工具链,包括配置软件 Simplicity Studio 和参考设计,加速产品开发周期。

应用

SI4362BDY-T1-E3 主要应用于需要长距离、低功耗无线通信的场景。
  1. 智能家居系统中的无线网关或节点。
  2. 工业自动化领域中的无线传感器网络。
  3. 远程抄表系统,如水表、电表和燃气表的数据采集。
  4. 农业监测系统,用于环境数据的实时传输。
  5. 安防系统中的无线报警设备。
  6. 医疗健康领域的无线监护设备。
  7. 物流追踪与资产管理中的标签和读取器。

替代型号

SI4463, SI4432

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SI4362BDY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 19.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs115nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4800pF @ 15V
  • 功率 - 最大6.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)