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SI4348DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 9:12:12 查看 阅读:29

SI4348DY-T1-E3是Silicon Labs公司推出的高性能单芯片射频收发器,主要面向无线应用设计。它支持Sub-GHz频段,具有高度可配置的调制方案和灵活的工作模式,适合于多种低功耗无线通信场景。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,内置了完整的射频前端、频率综合器、基带调制解调器以及数字信号处理功能。通过SPI接口与主控制器通信,可以轻松实现复杂的无线协议栈。强大的链路预算使其非常适合电池供电设备和远距离通信应用。

参数

工作频率范围:150MHz - 960MHz
  输出功率:+20dBm(典型值)
  接收灵敏度:-121dBm(FSK,1.2kbps)
  调制方式:2-FSK, GFSK, MSK, OOK, ASK
  电源电压:1.8V - 3.6V
  工作电流:3.7mA(接收模式)
  待机电流:0.2μA
  封装形式:QFN40(6x6mm)

特性

1. 高度集成化设计,减少了外围元件数量,从而降低了系统成本和PCB面积需求。
  2. 提供多种调制选项,能够满足不同应用场景下的数据传输需求。
  3. 内置自动增益控制(AGC)、RSSI测量等功能,简化了系统设计复杂度。
  4. 支持低功耗模式切换,有助于延长便携式设备的电池寿命。
  5. 强大的抗干扰能力及高灵敏度接收性能确保了可靠的数据链路质量。
  6. 具备可编程包格式和前导检测机制,增强了协议兼容性与灵活性。

应用

SI4348DY-T1-E3广泛应用于智能家居、物联网(IoT)、工业自动化、远程抄表、安防监控等领域中的无线数据传输任务。
  例如,在家庭自动化系统中可以用作温湿度传感器节点或灯光控制器;在环境监测领域可用以构建无线气象站网络;同时也可以作为无线报警系统的组成部分,用于火灾探测器或入侵探测器的数据回传。

替代型号

SI4362BR30-GM-E3
  SI4347DY-T1-E3

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SI4348DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4348DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.31W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4348DY-T1-E3TR