时间：2025/5/20 19:55:54
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SI4214DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载切换以及电机驱动等应用。其小型化的封装形式有助于节省 PCB 空间，同时保持高性能表现。
该器件的额定电压为 40V，能够在高频工作条件下提供卓越的性能，并且通过优化的结构设计降低了开关损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷（典型值）：87nC
输入电容：1390pF
开关速度：快速
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? 8x8
SI4214DDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关特性，支持高频操作，适用于现代高效能电源转换电路。
4. 使用 Vishay 第三代 TrenchFET 技术，确保在高频和高温下的稳定性。
5. 小尺寸 PowerPAK 封装，提供优秀的散热性能，同时减少占板面积。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池保护与负载切换电路。
4. 电机驱动控制，尤其是中小型电机应用。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器及控制器部分。
SI4430DY-T1-E3, SI4443DY-T1-E3
