时间：2025/7/4 5:28:21
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SI4202DY是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的TSSOP封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要用途包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：8nC
输入电容：600pF
功耗：1W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SI4202DY具有较低的导通电阻和栅极电荷，使其非常适合高频开关应用。此外，它具备快速开关速度和高可靠性，能够承受较高的结温，从而确保在严苛环境下的稳定运行。
这款MOSFET还采用了 Vishay 的先进制造工艺，优化了热性能并降低了寄生电感，进一步提高了效率和耐用性。
其小型化封装也使得它非常适用于对空间有严格要求的设计。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。具体应用场景包括但不限于：
- 手机和平板电脑中的负载开关
- 笔记本电脑和台式机的电源管理模块
- 小功率DC-DC转换器
- 便携式设备中的电池管理电路
- 汽车电子系统中的辅助控制单元
SI4203DY, SI4402DY, BSC019N06LS G
