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SI4160DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/16 17:57:37 查看 阅读:5

SI4160DY-T1-GE3 是一款基于硅工艺制造的射频开关芯片,由 Skyworks Solutions 提供。该器件主要应用于蜂窝通信、无线基础设施以及其他需要高频信号切换的应用场景。其设计支持高性能的射频信号切换,并具有低插入损耗和高隔离度等特性。
  该芯片采用了小型化的封装技术(DQFN 封装),使其非常适合于对空间要求严格的移动设备和其他电子系统中使用。

参数

工作频率:DC 至 3.0 GHz
  插入损耗:0.4 dB(典型值)
  隔离度:27 dB(典型值)
  VSWR:1.2:1(最大值)
  供电电压:2.7 V 至 5.5 V
  静态电流:20 μA(典型值)
  封装形式:2x2 mm DQFN
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI4160DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 支持广泛的频率范围,适用于多种射频应用;
  2. 具有低插入损耗和高隔离度,能够有效提升系统性能;
  3. 集成了 ESD 保护功能,提升了系统的可靠性;
  4. 小型化封装使其适合用于紧凑型设计;
  5. 支持低功耗运行,延长电池供电设备的使用寿命;
  6. 能够在较宽的工作电压范围内正常运行,增加了设计灵活性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝通信中的天线切换和收发模式控制;
  2. 无线基础设施中的信号路由与分配;
  3. GPS 和其他导航系统的信号处理;
  4. 消费类电子产品中的射频信号管理;
  5. 工业、科学和医疗设备中的射频信号切换;
  6. 物联网设备中的高效射频信号切换解决方案。

替代型号

SI4133DXY-T1-GE3
  SI4452DY-T1-GE3
  SKY13350-320LF
  RFHSW-2104

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SI4160DY-T1-GE3产品

SI4160DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.9 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs54nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2071pF @ 15V
  • 功率 - 最大5.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4160DY-T1-GE3-NDSI4160DY-T1-GE3TR