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SI4114DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/30 18:57:58 查看 阅读:7

SI4114DY-T1-E3 是一款由 Skyworks 提供的单片射频功率放大器 (RF PA),专为 GSM/EDGE 移动通信应用设计。该芯片采用先进的硅锗 (SiGe) 工艺制造,具有高效率、小尺寸和低功耗的特点,适合手持设备中的蜂窝通信模块。
  该器件支持 850MHz 至 2.17GHz 的频率范围,广泛应用于 GSM850、EGSM900、DCS1800 和 PCS1900 等多种频段的无线通信系统。通过内置的控制引脚,可以灵活调节增益和输出功率,从而优化系统性能。

参数

频率范围:850MHz至2.17GHz
  输出功率:+33dBm(典型值)
  增益:17.5dB(典型值)
  电源电压:3.4V
  工作电流:130mA(典型值,在+33dBm 输出功率下)
  封装形式:MLP12(3mm x 3mm)
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

1. 高效率设计,能够显著降低功耗并延长电池寿命。
  2. 内置匹配网络,简化了外部元件的设计要求,有助于减少整体解决方案的尺寸。
  3. 支持线性度增强模式,以满足 EDGE 标准的严格 ACLR 要求。
  4. 具备自动功率控制 (APC) 功能,可通过 SPI 接口实现精确的输出功率调节。
  5. 提供短路和过温保护功能,确保在异常条件下的可靠性。
  6. 小型化封装,便于集成到空间受限的移动设备中。

应用

SI4114DY-T1-E3 广泛用于各种无线通信设备,包括:
  1. GSM/EDGE 手机
  2. 模块化的物联网 (IoT) 设备
  3. 数据卡与热点设备
  4. 可穿戴设备中的蜂窝连接模块
  5. 工业级无线终端及远程监控设备
  由于其出色的效率和线性度表现,这款功率放大器特别适用于对续航能力有较高需求的便携式设备。

替代型号

SI4115DY-T1-E3, SI4116DY-T1-E3

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SI4114DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 10V
  • 功率 - 最大5.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)