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SI3993DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/8 23:07:38 查看 阅读:17

SI3993DV是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术,能够提供低导通电阻和高效率性能,适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
  SI3993DV采用的是热增强型DSO-8封装形式,具有出色的散热性能和电气特性,确保在高频和高电流条件下稳定运行。

参数

型号:SI3993DV
  品牌:Vishay
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极击穿电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ(在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):47A
  Pd(总功耗):37W
  栅极电荷Qg:16nC
  输入电容Ciss:1200pF
  封装形式:DSO-8
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

SI3993DV具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 高栅极电荷效率设计,优化了开关性能。
  3. 小型化DSO-8封装,适合于紧凑型电路设计。
  4的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  5. 工作温度范围广(-55°C至+175°C),适应各种恶劣环境条件。
  6. TrenchFET Gen III技术带来的高效率和可靠性。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得SI3993DV在各类功率转换和控制应用中表现出色,例如DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的开关应用。

应用

SI3993DV广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括AC-DC适配器、USB-PD充电器和其他高效能电源解决方案。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制以及其他运动控制应用。
  3. 负载切换:适用于服务器、通信设备和消费类电子产品的负载管理。
  4. 电池保护和管理:为电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)及便携式设备提供可靠的电池保护功能。
  5. 工业自动化:支持工业机器人、PLC控制器和变频器等高精度控制设备。
  由于其卓越的性能和可靠性,SI3993DV成为众多工程师在设计高性能功率电路时的首选元器件。

替代型号

SI4466DY, IRFZ44N, FDP55N06L

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SI3993DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3993DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C133 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大830mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3993DV-T1-E3TR