时间：2025/7/8 23:07:38
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SI3993DV是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术，能够提供低导通电阻和高效率性能，适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
SI3993DV采用的是热增强型DSO-8封装形式，具有出色的散热性能和电气特性，确保在高频和高电流条件下稳定运行。
型号：SI3993DV
品牌：Vishay
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：47A
Pd（总功耗）：37W
栅极电荷Qg：16nC
输入电容Ciss：1200pF
封装形式：DSO-8
工作温度范围：-55°C至+175°C
SI3993DV具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高栅极电荷效率设计，优化了开关性能。
3. 小型化DSO-8封装，适合于紧凑型电路设计。
4的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
5. 工作温度范围广（-55°C至+175°C），适应各种恶劣环境条件。
6. TrenchFET Gen III技术带来的高效率和可靠性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得SI3993DV在各类功率转换和控制应用中表现出色，例如DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的开关应用。
SI3993DV广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、USB-PD充电器和其他高效能电源解决方案。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机控制以及其他运动控制应用。
3. 负载切换：适用于服务器、通信设备和消费类电子产品的负载管理。
4. 电池保护和管理：为电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式设备提供可靠的电池保护功能。
5. 工业自动化：支持工业机器人、PLC控制器和变频器等高精度控制设备。
由于其卓越的性能和可靠性，SI3993DV成为众多工程师在设计高性能功率电路时的首选元器件。
SI4466DY, IRFZ44N, FDP55N06L
