时间：2025/5/30 14:23:50
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SI3993CDV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TrenchFET? 第三代技术。该器件设计用于高频开关应用，具有极低的导通电阻和快速的开关特性。它非常适合需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
这款功率 MOSFET 的封装形式为 ThinPAK 8x8 封装，能够有效降低寄生电感并提高散热性能，从而提升整体系统性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
反向恢复时间：26ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI3993CDV-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于其低栅极电荷和快速的反向恢复时间。
3. 使用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，优化了静态和动态性能。
4. 超薄封装设计，有助于节省 PCB 空间并改善热管理。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
6. 可靠性高，适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
4器和其他消费类电子产品的电源管理模块。
5. 太阳能微逆变器以及其他可再生能源相关设备。
SI4472DY, SI3880ADV
