时间：2025/5/27 19:03:16
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SI3932DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池保护等应用。该器件的封装形式为 PowerPAK? 8x8，有助于提高散热性能并节省电路板空间。
其耐压值为 30V，适用于中低压应用场景，同时由于其低导通电阻特性，能够有效降低功耗，提升系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1050pF
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 小型化 PowerPAK? 8x8 封装，具备良好的热性能。
4. 支持大电流操作，满足多种功率转换需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 耐热增强设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
7. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 便携式设备中的负载开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护与管理系统。
5. 通信设备中的高效 DC-DC 转换。
6. 工业自动化及消费类电子产品的功率管理模块。
7. 高密度多相 buck 转换器设计。
SI3931DP
IRL3932TRPBF
AO3932
